Transistor BJT (Bipolar Junction
Transistor)
Transistor pertemuan dwikutub (BJT) adalah salah satu jenis dari transistor.
Ini adalah peranti tiga-saluran yang terbuat dari bahan semikonduktor
terkotori. Dinamai dwikutub karena operasinya menyertakan baik elektron
maupun lubang elektron,
berlawanan dengan transistor ekakutub seperti FET yang hanya menggunakan
salah satu pembawa. Walaupun sebagian kecil dari arus transistor adalah pembawa mayoritas, hampir
semua arus transistor adalah dikarenakan pembawa minoritas,
sehingga BJT diklasifikasikan sebagai peranti pembawa-minoritas.

Perubahan arus listrik dalam jumlah kecil pada terminal basis dapat
menghasilkan perubahan arus listrik dalam jumlah besar pada terminal kolektor.
Prinsip inilah yang mendasari penggunaan transistor sebagai penguat elektronik.
Rasio antara arus pada koletor dengan arus pada basis biasanya dilambangkan
dengan β atau h_{FE}. β biasanya berkisar sekitar 100 untuk
transistor-transisor BJT.
Transistor bipolar dinamakan demikian karena kanal konduksi utamanya
menggunakan dua polaritas pembawa muatan: elektron dan lubang, untuk membawa
arus listrik. Dalam BJT, arus listrik utama harus melewati satu daerah/lapisan
pembatas dinamakan depletion zone, dan
ketebalan lapisan ini dapat diatur dengan kecepatan tinggi dengan tujuan untuk
mengatur aliran arus utama tersebut.
Fungsi utama pembuatan transistor adalah sebagai penguat (amplifier), sebagai
pemutus dan penyambung (switching), sebagai pengatur stabilitas tegangan,
sebagai peratas arus, dapat menahan sebagian arus yang mengalir, menguatkan
arus dalam rangkaian, dan sebagai pembangkit frekuensi rendah ataupun tinggi.
Karena sifatnya, transistor ini dapat digunakan dalam keperluan lain,
misalnya sebagai suatu saklar elektronis. Susunan fisik transistor merupakan
sambungan dari bahan semikonduktor tipe P dan tipe N, seperti digambarkan pada
di bawah.
Bipolar Transistor merupakan komponen atau piranti yang mempunyai tiga
terminal, maka dimungkinkan memiliki 3 konfigurasi rangkaian yaitu common
base, common collector dan common emitter, ketika
merancang suatu rangkaian transistor tiga konfigurasi inilah yang digunakan.
Perancangan rangkaian transistor mengacu pada sifat dan karakteristik
masing-masing konfigurasi transistor.
Perancangan rangkaian transistor biasanya mengacu pada beberapa
parameter berikut:
·
Voltage Gain
(Penguatan Tegangan)
·
Current
Gain (Penguatan Arus)
·
Impedansi input
·
Impedansi output
·
Frekuensi respon
Tabel. Rangkuman konfigurasi transistor dan karakteristiknya
Transistor Configuration
|
Common Base
|
Common Collector
|
Common Emitter
|
Voltage gain
|
High
|
Low
|
Medium
|
Current gain
|
Low
|
High
|
Medium
|
Power gain
|
Low
|
Medium
|
High
|
Input / output phase
|
0°
|
0°
|
180°
|
Input resistance
|
Low
|
High
|
Medium
|
Voltage gain
|
High
|
Low
|
Medium
|
Setiap konfigurasi mempunyai respon yang berbeda untuk setiap
sinyal input dalam rangkaian
·
Common Base
Configuration - Mempunyai “Voltage
Gain” tanpa “Current Gain”.
Konfigurasi transistor penguat basis biasanya digunakan pada aplikasi di
mana diperlukan impedansi input yang rendah.
·
Common Emitter
Configuration - Mempunyai “Current
dan Voltage Gain”.
Konfigurasi transistor penguat emiter merupakan konfigurasi transistor
yang paling banyak digunakan. Konfigurasi ini sering terlihat sebagai format
umum untuk transistor penguat tegangan. Konfigurasi transistor penguat emiter
digunakan untuk penguat dan sebagai output logika.
·
Common Collector
Configuration - Mempunyai “Current
Gain Tanpa Voltage Gain”.
Konfigurasi transistor penguat collector digunakan pada banyak aplikasi.
konfigurasi CC ini bisa berfungsi sebagai buffer.
Gambar. Konfigurasi
rangkaian CB, CE dan CC
Daftar Pustaka
http://id.wikipedia.org/wiki/Transistor#BJT
MODUL.
ELKA-MR.UM.002.A
Tidak ada komentar:
Posting Komentar